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面向超深亚微米CMOS电路应用的抗辐射注氧键合SOI材料制备及其抗辐射加固机理研究

负责人员: 魏星

依托单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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61376021
面向超深亚微米CMOS电路应用的抗辐射注氧键合SOI材料制备及其抗辐射加固机理研究
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序号 标题 类型 作者
    序号 姓名 职称 单位
    1 邹世昌 研究员 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    2 李炜 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    3 毕大炜 副研究员 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    4 张波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    5 薛忠营 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    6 曹共柏 上海新傲科技股份有限公司
    7 叶林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    8 陈龙 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
    9 陈达 讲师 宁波大学

    以下是从项目中提取的相关关键词,点击选题分析按钮快速进行关键词选题分析

    序号 关键词 操作
    1 抗辐射
    2 注氧键合SOI材料
    3 CMOS电路
    4 辐射加固机理
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