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共查到 7 条国家自然科学基金项目记录
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历年项目分析
项目批准号：12105252
批准年份：2021
学科分类： A.数理科学部
负责人：魏佳男
省份：北京
依托单位：中国电子科技集团公司第二十四研究所
资助金额：30万元
资助类别：青年科学基金项目
关键词：SiGe HBT；总剂量效应；温度环境；机理研究；关键影响因素
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项目批准号：61704147
批准年份：2017
学科分类： F.信息科学部
负责人：周春宇
省份：河北
依托单位：燕山大学
资助金额：25万元
资助类别：青年科学基金项目
关键词：太赫兹；复合应变；Si/SiGe HBT器件；建模；仿真；研究；
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项目批准号：61704127
批准年份：2017
学科分类： F.信息科学部
负责人：张晋新
省份：陕西
依托单位：西安电子科技大学
资助金额：25万元
资助类别：青年科学基金项目
关键词：SiGe HBT；电离辐射；协同效应；影响因素；空间环境
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项目批准号：11575139
批准年份：2015
学科分类： A.数理科学部
负责人：刘书焕
省份：陕西
依托单位：西安交通大学
资助金额：82万元
资助类别：面上项目
关键词：质子辐射效应;辐射损伤机理;辐射剂量;低噪声放大器;质子束流测量技术;SiGe
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项目批准号：61404019
批准年份：2014
学科分类： F.信息科学部
负责人：王冠宇
省份：重庆
依托单位：重庆邮电大学
资助金额：23万元
资助类别：青年科学基金项目
关键词：应变Si；组合发射区；SOI；SiGe；HBT；BiCMOS器件；研究；设计。
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项目批准号：60776051
批准年份：2007
学科分类： F.信息科学部
负责人：张万荣
省份：北京
依托单位：北京工业大学
资助金额：30万元
资助类别：面上项目
关键词：超宽频带；SiGe HBT；低噪声放大器；研究
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项目批准号：10075029
批准年份：2000
学科分类： A.数理科学部
负责人：孟祥提
省份：北京
依托单位：清华大学
资助金额：21万元
资助类别：面上项目
关键词：Ge--HBT.深中心.辐照损伤;Si
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