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资助类别:
不限
面上项目
重大研究计划
数学天元基金
重点项目
联合基金项目
青年科学基金项目
地区科学基金项目
专项基金项目
学科分类:
不限
A.数理科学部
B.化学科学部
C.生命科学部
D.地球科学部
E.工程与材料科学部
F.信息科学部
G.管理科学部
H.医学科学部
批准年份:
不限
2024年
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2021年
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面向量子计算应用的SOI-FinFET器件低温机理及模型研究
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项目批准号:62374174
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:卜建辉
省份:北京
依托单位:中国科学院微电子研究所
资助金额:48万元
资助类别:面上项目
关键词:SOI-FinFET;量子计算;低温特性;器件模型
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AI分析立项选题
兆级抗辐射应用的新型超薄叠层SOI材料可控制备及低温辐射效应研究
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项目批准号:62304232
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:常永伟
省份:上海
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:新型超薄叠层SOI材料;可控制备;低温辐射效应;抗辐射应用
AI评估研究价值
AI分析立项选题
22nm FD-SOI nMOSFET电离总剂量与热载流子协同损伤效应研究
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项目批准号:12305312
批准年份:2023
学科分类: A.数理科学部
负责人:周航
省份:四川
依托单位:中国工程物理研究院电子工程研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:22nm FD-SOI;nMOSFET;电离总剂量;热载流子损伤效应
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于SOI衬底的无结纳米片GAA器件研制及其抗总剂量辐射效应机理研究
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项目批准号:62274171
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:母志强
省份:上海
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
资助金额:59万元
资助类别:面上项目
关键词:基于SOI衬底;无结纳米片GAA器件;抗总剂量辐射效应;机理研究
AI评估研究价值
AI分析立项选题
SOI高压结型屏蔽器件辐射复合场调制机理与新结构研究
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项目批准号:62274023
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:周锌
省份:四川
依托单位:电子科技大学
资助金额:53万元
资助类别:面上项目
关键词:SOI;高压结型屏蔽器件;辐射复合场调制机理;新结构研究
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于SOI片上光互连的等离子体准连续谱束缚态光学传感研究
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项目批准号:62105158
批准年份:2021
学科分类: F.信息科学部
负责人:戚志鹏
省份:江苏
依托单位:南京信息工程大学
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于SOI;片上光互连;等离子体;准连续谱束缚态;光学传感
AI评估研究价值
AI分析立项选题
晶圆级高迁移率应变SOI制作新方法及相关机理与相关效应研究
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项目批准号:62074118
批准年份:2020
学科分类: F.信息科学部
负责人:戴显英
省份:陕西
依托单位:西安电子科技大学
资助金额:59万元
资助类别:面上项目
关键词:晶圆级;高迁移率;应变SOI;制作方法;机理;效应;研究;
AI评估研究价值
AI分析立项选题
多约束条件下UTBB FD-SOI晶体管总剂量效应模型研究
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项目批准号:12075313
批准年份:2020
学科分类: A.数理科学部
负责人:郑齐文
省份:新疆
依托单位:中国科学院新疆理化技术研究所
资助金额:64万元
资助类别:面上项目
关键词:多约束条件;UTBB FD-SOI晶体管;总剂量效应模型
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AI分析立项选题
全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)材料及其制备工艺中的基础问题研究
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项目批准号:62074152
批准年份:2020
学科分类: F.信息科学部
负责人:魏星
省份:上海
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
资助金额:63万元
资助类别:面上项目
关键词:全耗尽绝缘体上硅;FD-SOI材料;制备工艺;基础问题研究
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AI分析立项选题
双自适应型高速低损耗SOI LIGBT机理与新结构研究
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项目批准号:62004031
批准年份:2020
学科分类: F.信息科学部
负责人:魏杰
省份:四川
依托单位:电子科技大学
资助金额:24万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:双自适应;高速;低损耗;SOI;LIGBT;机理;新结构
AI评估研究价值
AI分析立项选题
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H.医学科学部
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F.信息科学部
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C.生命科学部
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