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资助类别:
不限
面上项目
重大研究计划
数学天元基金
重点项目
联合基金项目
青年科学基金项目
地区科学基金项目
专项基金项目
学科分类:
不限
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B.化学科学部
C.生命科学部
D.地球科学部
E.工程与材料科学部
F.信息科学部
G.管理科学部
H.医学科学部
批准年份:
不限
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条国家自然科学基金项目记录
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大气中子导致的SiC功率MOSFET器件损伤机理与失效预计模型研究
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项目批准号:12375268
批准年份:2023
学科分类: A.数理科学部
负责人:彭超
省份:北京
依托单位:工业和信息化部电子第五研究所
资助金额:53万元
资助类别:面上项目
关键词:SiC功率MOSFET;大气中子;损伤机理;失效预计模型
AI评估研究价值
AI分析立项选题
低比导通电阻的碳化硅沟槽栅型MOSFET器件的研究
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项目批准号:52377200
批准年份:2023
学科分类: E.工程与材料科学部
负责人:任娜
省份:浙江
依托单位:浙江大学
资助金额:52万元
资助类别:面上项目
关键词:低比导通电阻;碳化硅;沟槽栅型MOSFET;器件;研究
AI评估研究价值
AI分析立项选题
瞬态极端应力下高功率SiC MOSFET时空演化损伤机理与加固技术
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项目批准号:62334004
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:邓小川
省份:四川
依托单位:电子科技大学
资助金额:219万元
资助类别:重点项目
关键词:高功率SiC MOSFET;时空演化;损伤机理;加固技术;瞬态极端应力
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于电场筛的沟槽型碳化硅MOSFET栅介质氧化机理研究
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项目批准号:62304245
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:尤楠楠
省份:北京
依托单位:中国科学院微电子研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于电场筛;沟槽型碳化硅MOSFET;栅介质氧化机理
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AI分析立项选题
具有集成肖特基二极管的逆导型氧化镓MOSFET机理与实验研究
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项目批准号:62374028
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:魏杰
省份:四川
依托单位:电子科技大学
资助金额:48万元
资助类别:面上项目
关键词:集成肖特基二极管;逆导型氧化镓MOSFET;机理研究;实验研究
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AI分析立项选题
面向纳米尺度MOSFET器件的缺陷物理及其快速测量技术研究
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项目批准号:62204061
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:高汭
省份:北京
依托单位:工业和信息化部电子第五研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:纳米尺度;MOSFET器件;缺陷物理;快速测量技术
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AI分析立项选题
基于数据驱动的碳化硅功率MOSFET和IGBT器件建模与仿真技术
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项目批准号:62234010
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:张艺蒙
省份:陕西
依托单位:西安电子科技大学
资助金额:282万元
资助类别:重点项目
关键词:碳化硅功率MOSFET;IGBT器件;建模;仿真技术
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AI分析立项选题
源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维逻辑器件
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项目批准号:62274012
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:叶术军
省份:北京
依托单位:北京理工大学
资助金额:59万元
资助类别:面上项目
关键词:源漏极对称;垂直型全栅MOSFET;三维逻辑器件;
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AI分析立项选题
β-Ga2O3 MOSFET高压功率器件的单粒子辐射效应研究
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项目批准号:62204019
批准年份:2022
学科分类: F.信息科学部
负责人:舒磊
省份:北京
依托单位:北京微电子技术研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:β-Ga2O3;MOSFET;高压功率器件;单粒子辐射效应
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AI分析立项选题
基于栅极内阻在线提取的SiC MOSFET主动结温控制技术研究
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项目批准号:52207223
批准年份:2022
学科分类: E.工程与材料科学部
负责人:文阳
省份:陕西
依托单位:西安理工大学
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于栅极内阻;在线提取;SiC MOSFET;主动结温控制;技术研究;
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磁共振成像
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调控机制
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中国医科大学
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D.地球科学部
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E.工程与材料科学部
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F.信息科学部
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C.生命科学部
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A.数理科学部
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