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资助类别:
不限
面上项目
重大研究计划
数学天元基金
重点项目
联合基金项目
青年科学基金项目
地区科学基金项目
专项基金项目
学科分类:
不限
A.数理科学部
B.化学科学部
C.生命科学部
D.地球科学部
E.工程与材料科学部
F.信息科学部
G.管理科学部
H.医学科学部
批准年份:
不限
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2021年
2020年
2019年
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基于飞秒激光微纳加工的HgCdTe红外探测器内部占空比问题的研究
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项目批准号:62105247
批准年份:2021
学科分类: F.信息科学部
负责人:赵晓娜
省份:湖北
依托单位:武汉大学
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于飞秒激光;微纳加工;HgCdTe红外探测器;内部占空比;
AI评估研究价值
AI分析立项选题
HgCdTe双层异质结的富碲液相外延精确可控制备及原位低浓度As掺杂激活机制研究
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项目批准号:62104239
批准年份:2021
学科分类: F.信息科学部
负责人:王长浩
省份:上海
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:HgCdTe;双层异质结;富碲;液相外延;精确可控;制备;原位;低浓度;As掺杂;激活机制
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于富Te液相外延的近终形HgCdTe材料生长方法研究
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项目批准号:62004206
批准年份:2020
学科分类: F.信息科学部
负责人:孙权志
省份:上海
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
资助金额:24万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:HgCdTe;液相外延;近终形生长
AI评估研究价值
AI分析立项选题
HgCdTe半导体/半金属相转变及其拓扑电子态的扫描隧道显微镜研究
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项目批准号:61874069
批准年份:2018
学科分类: F.信息科学部
负责人:查访星
省份:上海
依托单位:上海大学
资助金额:62万元
资助类别:面上项目
关键词:HgCdTe半导体;半金属相转变;拓扑电子态;扫描隧道显微镜
AI评估研究价值
AI分析立项选题
HgCdTe红外探测器质子辐照位移损伤的退火机制研究
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项目批准号:61704190
批准年份:2017
学科分类: F.信息科学部
负责人:周东
省份:北京
依托单位:中国科学院新疆理化技术研究所
资助金额:25万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:HgCdTe红外探测器;质子辐照;位移损伤;退火机制
AI评估研究价值
AI分析立项选题
负带隙HgCdTe和HgTe半导体能带的应力调控研究
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项目批准号:11774367
批准年份:2017
学科分类: A.数理科学部
负责人:俞国林
省份:北京
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
资助金额:73万元
资助类别:面上项目
关键词:拓扑绝缘体;HgTe;负带隙;自旋轨道耦合;Weyl半金属
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零带隙附近HgCdTe半导体二维电子气的自旋轨道耦合特性研究
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项目批准号:61306119
批准年份:2013
学科分类: F.信息科学部
负责人:商丽燕
省份:上海
依托单位:华东师范大学
资助金额:24万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:HgCdTe半导体;二维电子气;自旋轨道耦合;零带隙
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于能带剪裁的单极型HgCdTe高温红外探测器结构研究
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项目批准号:61306062
批准年份:2013
学科分类: F.信息科学部
负责人:沈川
省份:北京
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
资助金额:25万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于能带剪裁;单极型;HgCdTe;高温红外探测器;结构研究;
AI评估研究价值
AI分析立项选题
InGaAs及HgCdTe二维系统中的自旋-轨道耦合效应
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项目批准号:11104073
批准年份:2011
学科分类: A.数理科学部
负责人:高矿红
省份:天津
依托单位:天津大学
资助金额:25万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:Rashba模型;自旋-轨道耦合;子带间散射
AI评估研究价值
AI分析立项选题
第三代焦平面中HgCdTe材料的量子特征态研究
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项目批准号:10734090
批准年份:2007
学科分类: A.数理科学部
负责人:陈效双
省份:北京
依托单位:中国科学院上海技术物理研究所
资助金额:230万元
资助类别:重点项目
关键词:红外焦平面;量子态;HgCdTe;分子束外延;第一性原理计算
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磁共振成像
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同济大学
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中山大学
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四川大学
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浙江大学
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李晶
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刘阳
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王玉
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黄昆
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周继升
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吴晶晶
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王海龙
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E.工程与材料科学部
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H.医学科学部
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F.信息科学部
6199
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C.生命科学部
5746
6
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