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资助类别:
不限
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重大研究计划
数学天元基金
重点项目
联合基金项目
青年科学基金项目
地区科学基金项目
专项基金项目
学科分类:
不限
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B.化学科学部
C.生命科学部
D.地球科学部
E.工程与材料科学部
F.信息科学部
G.管理科学部
H.医学科学部
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大尺寸高晶体质量半级性面GaN材料生长和激光器制备
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项目批准号:62374006
批准年份:2023
学科分类: F.信息科学部
负责人:李鸿渐
省份:北京
依托单位:北京大学
资助金额:48万元
资助类别:面上项目
关键词:大尺寸;高晶体质量;半级性面;GaN材料;激光器制备;
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AI分析立项选题
半绝缘GaN材料中点缺陷对载流子动力学特性调控的物理机制研究
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项目批准号:12274360
批准年份:2022
学科分类: A.数理科学部
负责人:石林
省份:江苏
依托单位:盐城工学院
资助金额:55万元
资助类别:面上项目
关键词:半绝缘GaN材料;点缺陷;载流子动力学特性;物理机制
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于位错微区调控提升高位错密度GaN材料击穿性能的研究
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项目批准号:62104085
批准年份:2021
学科分类: F.信息科学部
负责人:吕全江
省份:江苏
依托单位:江苏大学
资助金额:30万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:基于位错微区调控;高位错密度GaN材料;击穿性能;
AI评估研究价值
AI分析立项选题
辐照前后GaN材料塑性变形、摩擦与磨损行为的再研究
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项目批准号:12072248
批准年份:2020
学科分类: A.数理科学部
负责人:尚福林
省份:陕西
依托单位:西安交通大学
资助金额:62万元
资助类别:面上项目
关键词:辐照;GaN材料;塑性变形;摩擦;磨损;再研究
AI评估研究价值
AI分析立项选题
Si图形衬底上非极性/半极性GaN材料外延生长及物性研究
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项目批准号:61874108
批准年份:2018
学科分类: F.信息科学部
负责人:赵桂娟
省份:甘肃
依托单位:兰州大学
资助金额:63万元
资助类别:面上项目
关键词:Si图形衬底;非极性GaN;半极性GaN;外延生长;物性研究
AI评估研究价值
AI分析立项选题
基于二维石墨烯缓冲层的Si(100)衬底单晶GaN材料生长研究
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项目批准号:61804004
批准年份:2018
学科分类: F.信息科学部
负责人:冯玉霞
省份:北京
依托单位:北京工业大学
资助金额:25万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:Si(100)衬底;单晶GaN;二维石墨烯缓冲层;材料生长
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基于GaN材料的脉冲辐射探测技术研究
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项目批准号:11505060
批准年份:2015
学科分类: A.数理科学部
负责人:刘洋
省份:北京
依托单位:华北电力大学
资助金额:23万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:氮化镓;大面积;电流型;电荷收集效率;脉冲辐射探测
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AI分析立项选题
非极性面GaN材料缺陷结构和组态的电子显微分析
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项目批准号:51302306
批准年份:2013
学科分类: E.工程与材料科学部
负责人:牛牧童
省份:北京
依托单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
资助金额:25万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:氮化镓;位错;电子显微术;层错
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AI分析立项选题
(Mn,Fe)掺杂的GaN材料Mn,Fe价态调控及3d电子跃迁机制研究
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项目批准号:11104040
批准年份:2011
学科分类: A.数理科学部
负责人:崔旭高
省份:上海
依托单位:复旦大学
资助金额:27万元
资助类别:青年科学基金项目
关键词:氮化镓;3d电子跃迁;锰掺杂;MOCVD;光学性质
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AI分析立项选题
纳米多孔GaN材料及其作为外延生长衬底的探索
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项目批准号:60676060
批准年份:2006
学科分类: F.信息科学部
负责人:于广辉
省份:北京
依托单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
资助金额:8万元
资助类别:面上项目
关键词:纳米多孔GaN;外延生长;衬底;
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磁共振成像
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同济大学
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E.工程与材料科学部
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H.医学科学部
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F.信息科学部
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C.生命科学部
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A.数理科学部
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